据高分子网11月29日消息，英国曼彻斯特大学和诺丁汉大学的研究人员研制出一种硒化铟（InSe）半导体材料。硒化铟材料的厚度近似石墨烯，目前已表现出大幅优于硅的电子属性。在室温下，硒化铟材料的电子迁移率可达2000cm2/Vs，在更低温度下该项指标还会成倍增长。使用硒化铟制作的晶体管既具有类似硅晶体管的优良特性，又具有石墨烯一般的超薄厚度，这使得硒化铟成为硅的理想替代材料。未来硒化铟材料可用于制作下一代超高速的电子设备。
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