据EurekAlert网站8月29日消息，美国能源部国家可再生能源实验室利用紫外光调控半导体界面生长。研究人员将砷化镓（GaAs）和硒化锌（ZnSe）集成在一个异质结中，通过调控紫外光强度和界面初始状态研究了紫外光对半导体界面生长的影响。该研究对不同种类半导体材料的集成具有指导意义，有助于新一代高性能半导体器件的研制。

资料来源：https://www.eurekalert.org/pub_releases/2017-08/drel-rvu082917.php